Un diodo semiconductor está hecho de cristal semiconductor como el silicio con impurezas en él para crear una región que contiene portadores de carga negativos (electrones), y una región en el otro lado que contiene portadores de carga positiva (huecos). El límite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unión PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado n (llamado cátodo), pero no en la dirección opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del ánodo al cátodo (opuesto al flujo de los electrones).
 | Arriba.- Símbolo gráfico general de
identificación de un semiconductor diodo. Abajo.- Aspecto externo real de un diodo de silicio de estado sólido en el cual el ánodo (positivo) sería el. extremo que se ha señalado con la letra “A” y el cátodo (negativo) el extremo opuesto, señalado con la letra “K”. Este extremo está siempre rodeado por una franja color plata para identificar que corresponde al cátodo. |
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p.
Al establecerse una corriente de difusión, estas corrientes aparecen
cargas fijas en una zona a ambos lados de la unión, zona que recibe el
nombre de región de agotamiento.
A medida que progresa el proceso de difusión, la región de
agotamiento va incrementando su anchura profundizando en los cristales a
ambos lados de la unión. Sin embargo, la acumulación de iones positivos
en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo eléctrico que actuará sobre los electrones libres de la zona n con una
determinada fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la corriente de electrones y terminará deteniéndolos.
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una
diferencia de tensión entre las zonas p y n. Esta diferencia de
potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V para los cristales de germanio.
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